Sehemu za kuchimba visima za Hitachi EX200-2/3/5 Shinikiza kubadili sensor 4436271

Utaratibu wa kufanya kazi

1) Athari ya Magnetoelectric

Kulingana na sheria ya Faraday ya uingizwaji wa umeme, ukubwa wa nguvu iliyochochewa ya umeme inayozalishwa kwenye coil inategemea kiwango cha mabadiliko ya flux ya sumaku inayopitia coil wakati coil ya n-zamu inaenda kwenye uwanja wa sumaku na hupunguza mstari wa nguvu ya sumaku (au mabadiliko ya flux ya nguvu ya uwanja wa sumaku ambapo coil iko).

Sensor ya kusonga mbele ya magnetoelectric

Sensor ya kusonga mbele ya sumaku ina sumaku ya kudumu, coil na nyumba ya sensor.

Wakati ganda linatetemeka na mwili wa kutetemeka kupimwa na frequency ya vibration ni kubwa zaidi kuliko mzunguko wa asili wa sensor, kwa sababu chemchemi ni laini na wingi wa sehemu inayosonga ni kubwa, ni kuchelewa sana kwa sehemu inayosonga kutetemeka (kusimama bado) na mwili wa kutetemeka. Kwa wakati huu, kasi ya mwendo kati ya sumaku na coil iko karibu na kasi ya vibration ya vibrator.

Aina ya mzunguko

Chuma laini, coil na sumaku ya kudumu ni fasta. Gia ya kupimia iliyotengenezwa kwa nyenzo za nguvu ya umeme imewekwa kwenye mwili unaozunguka. Kila wakati jino linapozungushwa, upinzani wa sumaku wa mzunguko wa sumaku ulioundwa kati ya gia ya kupimia na chuma laini hubadilika mara moja, na flux ya sumaku pia inabadilika mara moja. Frequency (idadi ya pulses) ya nguvu ya umeme iliyoingizwa kwenye coil ni sawa na bidhaa ya idadi ya meno kwenye gia ya kupimia na kasi inayozunguka.

Athari ya Ukumbi

Wakati semiconductor au foil ya chuma imewekwa kwenye uwanja wa sumaku, wakati ya sasa (katika mwelekeo wa ndege wa foil perpendicular kwa uwanja wa sumaku) inapita, nguvu ya umeme hutolewa kwa mwelekeo wa uwanja wa sumaku na ya sasa. Hali hii inaitwa athari ya ukumbi.

Sehemu ya ukumbi

Vifaa vya kawaida vinavyotumiwa ni germanium (GE), silicon (Si), antimonide ya indium (INSB), indium arsenide (INAS) na kadhalika. N-aina germanium ni rahisi kutengeneza na ina mgawo mzuri wa ukumbi, utendaji wa joto na mstari. Silicon ya aina ya P ina usawa bora, na mgawo wake wa kutosha na utendaji wa joto ni sawa na ile ya aina ya N-aina, lakini uhamaji wake wa elektroni ni wa chini na uwezo wake wa upakiaji ni duni, kwa hivyo kawaida haitumiwi kama sehemu ya ukumbi mmoja.